И с блинов восстанавливается и с флешек на спецоборудовании.
Про жесткие диски
Хоть при текущих технологиях плотность ячеек записи на ферромагнитном слое настолько высокая, что восстановление данных оттуда практически невозможно, однако в теории такая возможность есть, однако восстановление записи по остаточной намагниченности возможно только в одну сторону -- в сторону определения ячейки, заисанной как "0". Иными слоавми, в теории есть возможность частично или полностью восстановить данные с носителя, если он был подвергнул полному форматирвоанию. К счастью, почти всем известно, что такой метод не дает достаточно надежности в "сокрытии данных", потому применяется метод слечайной модификации данных -- /dev/urandom
Конечно, можно возразить, что при наагничивании какого-либо участка уровень его намагниченность будет выше, нежели у других, и по этому можно определять,как давно был модифицирвоан этот участок. Однако, такой метод мог работать только при условии достаточно нелотной записи участков, но сейчас, при очень плотной записи, пиковые значения намагниченности зависят в первую очередь от качества и однородности феррамагнитного покрытия, потому нет никаких гарантий, что участок "х" с повышенным урвонем намагниченности был недавно модифицирвоан
Про флешки
Любая флеш, emmc и так далее память работает по одним и тем же принципам, а отличается лишь архитектурно. В основе любого накопителя подобного типа лежат специальные транзисторы с плавающим затвором. Их особенность заключается в том, что при специальных условиях они могут накапливать заярд и удерживать его на протяжении длительного времени. Таким образом, при наличии заряда, электрические свойства транзистора меняются, и контроллер определяет логические данные. Это не работает, как жесткий диск или дискета, в данном случае нельзя обнаружить следы наличия заряда по остаточной намагниченности, потому как все куда проще -- заряд либо есть и свойства транзистора меняются, либо заряд недостаточный и свойства транзистора соответтвуют не заряженному транзистору.
На сегодняшний день не существует таких технологий, который бы позволили нам заглянуть внутрь транзистора и определить заряд внутри него