непонятно
пример:
входящий сигнал 1ма, 1в
BJT транзистор усиляет по току в 10 раз (и может выдержать 10в коллектор-эммитер, т.е. при управлении базой порядка 1в может дать усиление и по напряжению порядка 10 раз)
обычная схема транзистора как услителя даст на выходе:
10ма, 10в
после этого чтобы усилить сигнал еще раз мы ставим резистор перед базой следущего транзистора на котором мы теряем все усиление по напряжению:
10ма 1в на базе следущего транзистора
таким образом усиление по мощности всего 10 раз. а могло бы быть 100 раз если бы мы не потеряли усиление по напряжению. т.е. преобразовали 10в->1в вместо потери на резисторе.